1.氣體預熱——增加前端氣體預熱區(qū)，沉積速度更快，成膜效果更好；

2.AIO控制系統(tǒng)——加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統(tǒng)控制集中于一個7英寸觸摸屏進行統(tǒng)一集中調節(jié)和操控，協(xié)調控制——科探AIO控制系統(tǒng)；

3.管內壓力自動平衡——管內壓力實時監(jiān)測，自動平衡管內壓力。

4.智能氣路通斷——每路氣體均可定時通斷，省時省力；

5.射頻功率和開關定時控制——預先設定好功率的大小和打開與關閉的時間，自動運行；

6.爐膛移動速度可調——根據(jù)實驗要求，用戶可設定爐膛左右移動的速度可距離；

7.整機結構融為一體——移動方便，避免分散組裝的困擾。

 

PECVD管式爐的使用注意事項：

爐管內氣壓不可高于0.02MPa。

由于氣瓶內部氣壓較高，所以向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議選購減壓閥，使用時會更加安全。

當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態(tài)，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)。

進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。

石英管的長時間使用溫度＜1100℃。

對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生。